- Код статьи
- S020596060016346-2-
- DOI
- 10.31857/S020596060016346-2
- Тип публикации
- Статья
- Статус публикации
- Опубликовано
- Авторы
- Том/ Выпуск
- Том 42 / №3
- Страницы
- 466-479
- Аннотация
- Изобретение транзистора, произошедшее в конце 1940-х – начале 1950-х гг., произвело революцию в электронике, ставшую причиной кардинального изменения конструкций и технологии изготовления большой части электронных приборов, появления новых требований к чистоте и однородности применяемых материалов, качеству технологического и контрольно-измерительного оборудования и т. д. Последующее развитие полупроводниковых приборов и интегральных схем, электронной вычислительной техники на новой элементной базе, стало важнейшим фактором совершенствования информационных технологий, становления постиндустриального информационного общества. Хронологически значительная часть событий транзисторной революции пришлась на период противостояния СССР и США в условиях холодной войны, фактической изоляции нашей страны от научных и технологических достижений стран Запада. Тем не менее период с середины 1960-х до конца 1980-х гг. характеризовался интенсивным развитием полупроводниковых приборов и ростом объема их производства в нашей стране. После распада СССР Россия оказалась в большой зависимости от импорта изделий полупроводниковой электроники. В настоящее время, несмотря на имеющееся отставание по техническому уровню ряда видов изделий электронной техники, темпы роста производства радиоэлектронного оборудования в стране выше общих темпов роста российского производства.
- Ключевые слова
- электроника, транзистор, полупроводниковые приборы, интегральные схемы, электронная промышленность, А. И. Шокин, Научный центр микроэлектроники
- Дата публикации
- 29.09.2021
- Год выхода
- 2021
- Всего подписок
- 14
- Всего просмотров
- 1564
Библиография
- 1. Avdonin, B. N., and Martynov, V. V. (2012) Otechestvennaia elektronika. Etapy sozdaniia i razvitiia [Russsian Electronics. Creation and Development Stages]. Moskva: Kreativnaia ekonomika. pp. 74–75.
- 2. Bardeen, J., and Brattain, W. (1948) The Transistor, A Semiconductor Triode, Physical Review, vol. 74. no. 2, pp. 230–231.
- 3. Borisov, Iu. I. (ed.) (2007) Dinamika radioelektroniki [The Dynamics of Radioelectronics]. Moskva: Tekhnosfera.
- 4. Borisov, V. P. (2013) Elektronika SSSR i Rossii do i posle provedeniia sotsialʼno-ekonomicheskikh reform [Electronics in the USSR and Russia Before and After the Socio-Economic Reforms], in: Paton, B. E. (ed.) (2013) Otnoshenie obshchestva i gosudarstva k nauke v usloviiakh sovremennykh ekonomicheskikh krizisov: tendentsii, modeli, poisk putei uluchsheniia vzaimodeistviia: materialy mezhdunarodnogo simpoziuma [Attitude of Society and State to Science under Contemporary Economic Crises: Tendencies, Models, Ways to Deepen Mutual Understanding and Interaction. Proceedings of the International Symposium]. Kiev: Nash format, pp. 88–94.
- 5. Davydov, B. I. (1938) O vypriamlenii toka na granitse mezhdu dvumia poluprovodnikami [On Rectification of Current at the Boundary between Two Semiconductors], Doklady AN SSSR, vol. 20, no. 4, pp. 279–282.
- 6. Ioffe, A. F. (1931) Poluprovodniki – novyi material elektrotekhniki [Semiconductors, a New Material for Electrical Engineering], Sotsialisticheskaia rekonstruktsiia i nauka, no. 2/3, pp. 108–112.
- 7. Khokhlov, S. (2018) Radioelektronnaia promyshlennostʼ: dostizheniia, problemy, zadachi i perspektivy razvitiia [Radio and Electronic Industry: Achievements, Problems, Goals and Prospects of Its Development], Elektronika: nauka, tekhnologiia, biznes, 2009, no. 5, pp. 20–24.
- 8. Lashkarev, V. E. (1941) Issledovanie zapornogo sloia metodom termozonda [Study of Shut-Off Layer Using the Thermosonde Method], Izvestia AN SSSR, seriia fizicheskaia, vol. 5, no. 4/5, pp. 442–446.
- 9. Mott N. (1939) The Theory of Crystal Rectifiers, Proceedings of the Royal Society of London. Series A: Mathematical and Physical Sciences, vol. 171, pp. 27–38.
- 10. Nezhinskii, L. N. (ed.) (1995) Sovetskaia vneshniaia politika v gody “kholodnoi voiny” (1945–1985). Novoe prochtenie [Soviet Foreign Policy during the Cold War (1945–1985). A New Reading]. Moskva: Mezhdunarodnye otnosheniia.
- 11. Proleiko, V. M. (ed.) (2009) Ocherki istorii rossiiskoi elektroniki [Essays on the History of Russian Electronics]. Moskva: Tekhnosfera, no. 1: 60 let otechestvennomu tranzistoru [60 Years of Russian Transistor].
- 12. Rodionov, V. M. (ed.) (1988) Formirovanie radioelektroniki (1920-e – 1950-e gg.) [Formation of Radioelectronics (1920s – 1950s)]. Moskva: Nauka.
- 13. Schottky W. (1939) Zur Halbleitertheorie der Sperrschicht- und Spitzengleichrichter, Zeitschrift für Physik, vol. 113, pp. 367–414.
- 14. Shokin, A. A. (2007) Ministr neveroiatnoi promyshlennosti [The Minister of Incredible Industry]. Moskva: Tekhnosfera.
- 15. Wilson, A. (1931) The Theory of Electronic Semiconductors, Proceedings of the Royal Society of London. Series A: Mathematical and Physical Sciences, vol. 133, p. 458–491, vol. 134, p. 277–287.
- 16. Zamechatelʼnye stranitsy zhizny professora Iu. R. Nosova [Remarkable Pages from Professor Yu. R. Nosov’s Life]. Moskva: OOO “Tipografiia Siti Print”.
